- Компанией ведется разработка опытной технологии получения подложек и структур для применения в энергоэффективных нитридных и оксидных полупроводниковых приборах нового поколения. - Проект сфокусирован на качестве подложечных кристаллов и достижении низкой плотности дефектов. Разрабатывается процесс получения пластин объемного нитрида галлия с низкой плотностью дислокаций (менее 106 см-2), cтруктур на основе GaN/Ga2O3, темплэйтов различных политипов Ga2O3 на сапфире, Si, SiC. - Задача проекта - развитие технологии производства GaN и Ga2O3 подложек и структур, удовлетворяющих требованиям опытного производства светодиодов, электронных приборов высоковольной и силовой техники на основе широкозонных полупроводников.
ООО «Совершенные Кристаллы» является инновационной компанией, главная цель которой - создание и развитие технологии производства подложечных кристаллов и структур для современных электронных и опто-электронных приборов УФ и видимого диапазона. Наша компания занята разработкой технологических процессов в области роста широкозонных полупроводниковых кристаллов и структур на основе GaN, AlN, InN, SiC, Ga2O3 и др.
Коллектив компании имеет значительный творческий потенциал и задел в данном направлении. Научные сотрудники и инженеры - авторы большого количества научно-исследовательских публикаций, патентов по технологии нитридных полупроводников и оборудования для их создания.
Проект Фонда «Сколково»
http://sk.ru/foundation/energy/default.aspx
Vladimir.nikolaev@perfect-crystals.com
http://sk.ru/net/1110238/
http://sk.ru/news/
А.И.Печников, С.И.Степанов и др. Толстые слои α-Ga2O3 на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии, ФТП, 2019, т.53, №6