ООО «Совершенные Кристаллы» является инновационной компанией, главная цель которой - создание  и развитие технологии производства подложечных кристаллов и структур для современных электронных и опто-электронных приборов УФ и видимого диапазона. Наша компания является разработчиком технологических процессов в области роста широкозонных  полупроводниковых кристаллов и структур на основе GaN, AlN, InN, SiC, beta-Ga2O3 и др.
Компания располагает установками :

- получения пластин объемных кристаллов и темплэйтов для эпитаксии нитридных полупроводников  диаметром до 4 дюймов
- эпитаксиальным оборудованием для роста приборных структур ( светодиодов и транзисторов)
-для исследования, характеризации  и контроля качества кристаллов, структур и     приборов

Основным продуктом компании являются  :

- опытные образцы пластин объемных монокристаллов нитрида галлия (GaN) с        низкой плотностью       структурных дефектов
- HVPE темплэйты, слои нитридных полупроводников на сапфире, Si, SiC, beta
-Ga2O3
- Поликристаллические пластины нитрида галлия (текстурированные кристаллы)
- Разработки оборудования для роста полупроводниковых кристаллов и структур.
- Технологии ростовых процессов для получения полупроводниковых структур.
Компания также выполняет договорные НИОКР и ОКР по тематикам связанными с технологией материалов и приборов на основе широкозонных полупроводников.

компания является резидентом фонда "СКОЛКОВО"